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一种有多色响应的量子点红外探测器

  • 申请号:CN201210086429.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN102623523A
  • 公开(公开)日:2012.08.01
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种有多色响应的量子点红外探测器
申请号 CN201210086429.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102623523A 公开(授权)日 2012.08.01
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 贾亚楠;徐波;孔金霞;王占国
主分类号 H01L31/0352(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I
专利有效期 一种有多色响应的量子点红外探测器 至一种有多色响应的量子点红外探测器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器,包括:一GaAs衬底;一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上;一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上;一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上;一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上;一3~10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上;一组分渐变AlGaAs层制作在3~10周期点-阱结构上;一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上;一3~10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上;一GaAs顶接触层制作在3~10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上;一上电极制作在GaAs顶接触层上,收集并输出光电流信号;一下电极制作在GaAs底接触层台面上,与上电极一起给探测器加偏压。

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