
一种有多色响应的量子点红外探测器
- 申请号:CN201210086429.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN102623523A
- 公开(公开)日:2012.08.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种有多色响应的量子点红外探测器 | ||
申请号 | CN201210086429.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102623523A | 公开(授权)日 | 2012.08.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 贾亚楠;徐波;孔金霞;王占国 |
主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I |
专利有效期 | 一种有多色响应的量子点红外探测器 至一种有多色响应的量子点红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器,包括:一GaAs衬底;一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上;一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上;一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上;一Al0.2Ga0.8As势垒层制作在组分渐变AlGaAs层上;一3~10周期的InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs点-阱结构层制作在Al0.2Ga0.8As势垒层上;一组分渐变AlGaAs层制作在3~10周期点-阱结构上;一上GaAs隔离层制作在组分渐变AlGaAs层上;一3~10周期的InGaAs/GaAs量子点结构层制作在上GaAs隔离层上;一GaAs顶接触层制作在3~10周期的InGaAs/GaAs量子点结构上;一上电极制作在GaAs顶接触层上,收集并输出光电流信号;一下电极制作在GaAs底接触层台面上,与上电极一起给探测器加偏压。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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4、专员跟进,交易保障
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