一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法
- 申请号：CN200710178791.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN101451269
- 公开(公开)日：2009.06.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法 | ||
| 申请号 | CN200710178791.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101451269 | 公开（授权）日 | 2009.06.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 高鸿钧;潘毅;时东霞 |
| 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B1/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法 至一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨层的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种厘米级单层或双层有序单晶石墨层的制备方法，该 方法以含有微量碳的钌单晶0001面作为衬底，将该衬底经过化学和物理 处理后，在不高于1×10-10mbar的真空下，于700-900℃的退火温度下体 内杂质碳向钌0001面的偏析过程中形成有序单晶石墨层；通过控制退火 温度和时间可以可控的制备单层或双层石墨层。 | ||
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