专利详情

专利名称	制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法
申请号	CN200710178775.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101452844	公开（授权）日	2009.06.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李维龙;贾锐;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青;龙世兵
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法至制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅隧穿介质层；将高介电常数栅介质的固体粉末和硅粉末的混合物通过电子束蒸发技术蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用该方法制备的高介电常数栅介质埋嵌的硅量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于纳米晶浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。