专利详情

专利名称	存储器及其制作方法
申请号	CN200910078245.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101494225	公开（授权）日	2009.07.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;王琴;胡媛;郭婷婷
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I
专利有效期	存储器及其制作方法至存储器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO₂材料介质/高k材料介质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、在纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或SiO₂材料控制栅介质层，和在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。同时公开了一种制作上述存储器的方法。利用本发明，综合改善了浮栅非易失存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐受性、数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，并且制作工艺简单，降低了制作成本。