专利详情

专利名称	一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
申请号	CN200910046584.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101509144	公开（授权）日	2009.08.19
申请（专利权）人	上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心	发明（设计）人	周健华;潘尧波;颜建锋;郝茂盛;周圣明;杨卫桥;李抒智;马可军
主分类号	C30B29/38(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法至一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO₂)(302)面衬底上，在N₂保护下，升温到 800-950℃，在氮气气氛下生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓 (TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min；然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃在氮气气氛下继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa 流量为10-150sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-7.5E-4mole/min；接着关闭TMGa的流量计，通入硅烷(SiH₄)或者二茂镁(Cp₂Mg)，生长一层SiNx或者Mg₃N₂阻挡层，厚度为 1-100nm，然后再升温到1050-1150℃，在氢气气氛下生长高温U-GaN约1um，TMGa流量为 20-200sccm，对应于摩尔流量：8E-5mol/min-1E-3mole/min。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，而高温U-GaN的目的是提高薄膜质量，改善表面平整度。