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一种铋基储氢材料及其制备方法

  • 申请号:CN200910047339.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN101513994
  • 公开(公开)日:2009.08.26
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种铋基储氢材料及其制备方法
申请号 CN200910047339.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101513994 公开(授权)日 2009.08.26
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 陈立东;孙正亮;刘付胜聪;陈喜红;赵德刚;熊震
主分类号 C01B19/04(2006.01)I IPC主分类号 C01B19/04(2006.01)I;H01M4/58(2006.01)I
专利有效期 一种铋基储氢材料及其制备方法 至一种铋基储氢材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种铋基(硒化铋、碲化铋)储氢材料及其制备方法,它是关 于铋基材料的低温液相合成及其在储氢、储锂和电极材料上的运用。其特征是 以水为溶剂,以铋盐如硝酸铋、氯化铋等为铋源,以水溶性的碲(硒)酸盐 (如亚碲酸钠、硒代硫酸钠、亚硒酸钠)或碲(硒)酸(如原碲酸、亚碲酸、 亚硒酸)为碲源(硒)源,加入适当的配位剂(氨三乙酸、己二胺四乙酸等) 和还原剂(维生素C、硼氢化钠等),60-80℃低温下液相反应合成。本发明 制备的硒化铋晶粒成花状,球径为1-6μm,碲化铋晶粒成片状,直径为纳米 级,其储氢性能可达到100mAh·g-1以上,本方法具有原料廉价,工艺简单、 操作方便、易于规模化生产等优点。

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