专利详情

专利名称	HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
申请号	CN200910046387.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101514484	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	于广辉;王新中;林朝通;曹明霞;卢海峰;李晓良;巩航;齐鸣;李爱珍
主分类号	C30B25/18(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/18(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I
专利有效期	HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法至HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜 GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上沉积一层金属Al薄层，经电化学的方法形成均匀的多孔网状阳极氧化铝(AAO)，再采用诱导耦合等离子体刻蚀(ICP)等技术，刻蚀得到多孔GaN材料，孔的底部露出Si衬底表面；在此基础上采用腐蚀方法，实现对Si的腐蚀并获得复合纳米多孔结构；通过表面处理，使得Si的表面覆盖SiN_x或者SiO₂层，以满足后续的外延生长需求。经清洗后，再放入HVPE 系统中生长厚膜GaN层。大大简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于科学实验和批量生产时采用。