专利详情

专利名称	在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
申请号	CN200810057890.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101515543	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;罗卫军;郭伦春;肖红领;李建平;李晋闽
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I
专利有效期	在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法至在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。利用本发明，通过控制生长条件，如温度、压力以及生长氮化镓的缓冲层结构设计方面的改进，在硅衬底上外延生长出了氮化镓薄膜。