专利详情

专利名称	制备超结VDMOS器件的方法
申请号	CN200810057881.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101515547	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	蔡小五;海潮和;陆江;王立新
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	制备超结VDMOS器件的方法至制备超结VDMOS器件的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种制备超结VDMOS器件的方法，包括：在衬底上外延生长体硅，场区氧化形成场区氧化层；刻蚀形成有源区，在有源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层，等离子刻蚀多晶硅和氧化层形成栅氧化层；光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区，光刻 P+区，浓硼注入，形成P-体区；淀积氮化硅硬掩模层，氮化硅光刻，高能硼注入，形成外延层中的P-柱；高温推进，使结深控制在X_jp＝2μm；光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS 器件源区，通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；PECVD淀积硼磷硅玻璃，850度半小时回流；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成金属布线层，合金，进行背面处理。