专利详情

专利名称	具有H型栅的射频SOI LDMOS器件
申请号	CN200810057936.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101515588	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;毕津顺;范雪梅;赵超荣;韩郑生;刘刚
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	具有H型栅的射频SOI LDMOS器件至具有H型栅的射频SOI LDMOS器件	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOI L DMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P^-区、N^-区、H 型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N^-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上，利用与P^-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出；源/ 体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根H型栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N^-区注入以及N^-漂移区注入方法，以及与CMOS工艺兼容的N^-漂移区硅化物掩蔽方法。