专利详情

专利名称	半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法
申请号	CN200910066762.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101515702	公开（授权）日	2009.08.26
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	刘云;王立军;刘长军;宁永强;秦丽
主分类号	H01S5/024(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/024(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I
专利有效期	半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法至半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	半导体激光器管芯烧结装置及其使用方法属于半导体光电子学技术领域，烧结装置包括底支座、前挡板、热沉、压簧柱、弹簧、拨扳、压针、支柱、翘压杆、弹性支柱和滑足；烧结方法的加热和降温过程在真空室内和氮气保护下完成，首先将翘压杆移动到远离前挡板的空位处，在显微镜观察下移动翘压杆，压针准确压在芯片上，再将装置放在真空室加热170℃～200℃ 停止，三分钟后装置温度降到30℃～70℃，即完成管芯的烧结。本发明的有益效果是：采用滑足定位烧结，简化了管芯烧结的准确定位；压针给芯片的力有效降低了管芯的串联电阻和热阻，解决了因融化时管芯移位造成的发光效率低的问题；工艺简单实用，制作成本低，生产效率高。