低功耗的高压电平移位电路
- 申请号：CN200810057882.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101515755
- 公开(公开)日：2009.08.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 低功耗的高压电平移位电路 | ||
| 申请号 | CN200810057882.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101515755 | 公开（授权）日 | 2009.08.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 范涛;杜波 |
| 主分类号 | H02M3/155(2006.01)I | IPC主分类号 | H02M3/155(2006.01)I |
| 专利有效期 | 低功耗的高压电平移位电路 至低功耗的高压电平移位电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种电平移位电路，该电路由第一电压转换级(1)、 第二电压转换级(2)和高压输出级(3)构成。第一电压转换级(1) 和第二电压转换级(2)分别为输出级PMOS和NMOS晶体管提供可 以根据应用任意调节的栅级驱动信号，从而使高压输出级(3)可以为 负载提供很高的电压和很大的电流。电平移位电路的转换速度很快， 静态功耗很低，而且面积较小。这种电平移位电路可以应用于电机驱 动，平版显示，打印机驱动等高压驱动芯片中，特别适合于特征尺寸 不断缩小的高低压兼容工艺和高压，大电流的应用中。 | ||
交易流程
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专利 -
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