专利详情

专利名称	光调制热成像焦平面阵列的制作方法
申请号	CN200910080277.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101538005	公开（授权）日	2009.09.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	焦斌斌;陈大鹏;欧毅;叶甜春
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I
专利有效期	光调制热成像焦平面阵列的制作方法至光调制热成像焦平面阵列的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步骤：步骤1.在单晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2.按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3.在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4.生长多晶硅填满沟槽；步骤5.在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6.在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7.按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8.按照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9.按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10.按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。