
降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法
- 申请号:CN200910049374.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN101538165
- 公开(公开)日:2009.09.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 | ||
申请号 | CN200910049374.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101538165 | 公开(授权)日 | 2009.09.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 李永祥;龙艳平;王依琳;吴文骏 |
主分类号 | C04B35/64(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/64(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I |
专利有效期 | 降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 至降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法,属于低温共 烧微波介质陶瓷领域。本发明以Li2O、Nb2O5和TiO2或高温下可分解为Li2O、 Nb2O5和TiO2的化合物为原料,以氧化硼、硼酸和硅酸甲酯、硅酸乙酯等硅酸 酯以及硅酸等可溶性硅酸盐为原料配制溶液,在合成料中加入溶液,采用PVA 或PVB造粒,压制成型,排塑后在860~960℃烧结1~3h。本发明有效将陶 瓷烧结温度降低至900℃左右,同时保持非常优异的微波介电性能:ε=71.721, Q×f=4930GHz和τf=-2.1ppm/℃,其介电性能优于未添加助烧剂的锂-铌- 钛基陶瓷在1100℃下烧结获得的微波介电性能性能。 |
交易流程
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专利 -
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