专利详情

专利名称	提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法
申请号	CN200910050591.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101545143	公开（授权）日	2009.09.30
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	曹顿华;赵广军;董勤;陈建玉;丁雨憧;程艳
主分类号	C30B33/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B33/02(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I
专利有效期	提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法至提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法，其特点是对石墨加热体方法生长的Ce:YAG晶体进行低温氧气退火或高温氢气退火。包括以下步骤：先用丙酮或者酒精清洗晶体；把Ce:YAG晶体放在炉膛的白宝石或者纯YAG晶体基片上；升温；恒温退火；降温到室温；从炉膛取出Ce:YAG晶体。本发明能有效地消除晶体中存在的碳相关的缺陷，提高晶体的透过性能；氧化晶体中生长过程中形成Ce²⁺ 离子，因此需要提高Ce³⁺离子浓度，同时尽可能抑制Ce⁴⁺离子，避免Ce⁴⁺离子引起的淬灭效应，从而最大程度地提高Ce:YAG晶体的发光强度。