专利详情

专利名称	GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法
申请号	CN201110235554.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102299159A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李奎龙;董建荣;陆书龙;赵勇明;于淑珍;杨辉
主分类号	H01L27/142(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/142(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法至GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，该两个双结电池通过晶格异变生长渐变过渡层串联，所述渐变过渡层包括AlxIn1-xAs渐变过渡层，其中x=1~0.48；其制备方法为：在采用晶格变异法依次生长形成与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池的过程中，采用In组分线性渐进和/或步进的方法生长渐变过渡层将该两个双结电池串联。本发明四结级联太阳电池具有1.90eV、1.42eV、~1.03eV、0.73eV的带隙组合，可实现对太阳光谱的充分利用，减小各个子电池间的电流失配和光电转换过程中的热能损失，进而提高电池效率，且其制备方法简单，成本低廉。