专利详情

专利名称	聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法
申请号	CN201110199707.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102299306A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院广州能源研究所	发明（设计）人	张灵志;岳鹿;王素清;赵欣悦
主分类号	H01M4/38(2006.01)I	IPC主分类号	H01M4/38(2006.01)I
专利有效期	聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法至聚(3,4-乙撑二氧噻吩)包覆及其为碳源的纳米硅复合锂离子电池负极材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明利用导电聚合物PEDOT及其水溶液分散剂PSS作为纳米Si粉的包覆层以及碳源，提供一种性能优异的锂离子电池负极新硅复合材料及其制备方法。所述Si/C复合材料由含Si类储锂材料作为主要活性物质，先通过原位聚合反应在Si的表面聚合PEDOT:PSS，然后把制备的Si/PEDOT:PSS复合物在惰性气氛下经由高温碳化处理，制得Si/C复合材料。本发明制备的复合材料有少量S元素掺杂。经过电镜分析，纳米Si颗粒被均匀的镶嵌在PEDOT:PSS聚合物和碳基体中。本发明制备原料便宜，纳米Si在导电聚合物中的包覆在水溶液中进行，工艺简单环保，收率高。制备的Si/C复合材料具有极低的初始不可逆容量损失(2.8％)，材料的充放电性能优异，便于工业化生产，在电动汽车等动力电源上有潜在的应用前景。