专利详情

专利名称	基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法
申请号	CN200910312948.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117656A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;杨潇楠;刘明;王永
主分类号	G11C16/04(2006.01)I	IPC主分类号	G11C16/04(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法至基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现多值存储，使存储量增大两倍。本发明采用新的编程方式，在源漏两端同时编程操作，并形成多值存储，这大大地提高了编程效率，同时增大了存储窗口，实现更多点子的存储，并在同样大小的存储单元上实现了两倍于之前的存储量；另外，在实现此优点的同时并未改变制造工艺，大大降低了成本。