制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
- 申请号：CN200910244525.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102117768A
- 公开(公开)日：2011.07.06
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 | ||
| 申请号 | CN200910244525.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102117768A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 万里兮;吕壵;王惠娟 |
| 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 至制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言