专利详情

专利名称	一种CMOS集成电路抗辐照加固电路
申请号	CN200910244519.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102118152A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊
主分类号	H03K19/007(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/007(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I
专利有效期	一种CMOS集成电路抗辐照加固电路至一种CMOS集成电路抗辐照加固电路	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。利用本发明，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。