专利详情

专利名称	基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器
申请号	CN201210350017.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856789A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张冶金;王海玲;渠红伟;马绍栋;郑婉华
主分类号	H01S5/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/10(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器至基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器	法律状态	授权
说明书摘要	一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。