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一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法

  • 申请号:CN200910089254.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN101603191
  • 公开(公开)日:2009.12.16
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法
申请号 CN200910089254.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101603191 公开(授权)日 2009.12.16
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 刘敏;赵雷;王文静
主分类号 C25D11/04(2006.01)I IPC主分类号 C25D11/04(2006.01)I;C25D11/06(2006.01)I;C25D11/18(2006.01)I
专利有效期 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法 至一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种六边形大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜,阳极氧化铝的孔径为200纳米~300纳米,孔 壁厚度为5~20纳米。制备本发明薄膜的方法为:依次用丙酮、乙醇和高纯水超声清洗铝片 10分钟,把清洗过的铝片放入磷酸与醋酸质量百分比为(10~1)∶(1~10)%的混合电解液 中,在40V-160V的电压下阳极氧化1-5分钟。然后把得到的阳极氧化铝薄膜用高纯水清洗, 在60℃,0.2mol/L的铬酸和0.4mol/L磷酸的混合溶液中浸泡20分钟。在和第一次阳极 氧化相同的混合电解液和阳极氧化电压条件下再进行第二次阳极氧化5分钟~10小时;将 制得到的阳极氧化铝薄膜放入质量百分数为10%的磷酸溶液中浸泡20分钟,最后用高纯水清 洗,用氮气吹干。

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