专利详情

专利名称	热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法
申请号	CN200910054968.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101603204	公开（授权）日	2009.12.16
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李红军;杨新波;徐军;苏良碧
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法至热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于激光晶体领域，具体涉及一种热释光或光释光剂量学晶体及其制备方法。本发明的热释光或光释光剂量学晶体为一种掺碳钇铝石榴石晶体。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：按配比将原料经混料、研磨和成型工艺制得晶体生长原料，然后采用导向温梯法或下降法在还原气氛中生长。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体具有更高的热释光和光释光灵敏度，更宽的线性剂量响应范围，更好的热释光和光释光性能稳定性，同时具有加工方便、晶体生长温度低，成本较低的优点。