专利详情

专利名称	掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备
申请号	CN200910054969.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101603205	公开（授权）日	2009.12.16
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李红军;杨新波;徐军;苏良碧
主分类号	C30B29/28(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I
专利有效期	掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备至掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及激光晶体技术领域，公开了一种掺碳钇铝石榴石晶体及其两步法制备。本发明的掺碳钇铝石榴石晶体是在钇铝石榴石晶体中掺入碳元素。本发明还公开了该晶体的制备方法，包括如下步骤：将纯YAG晶体加工成YAG晶片，然后采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳处理，制得掺碳钇铝石榴石晶体。本发明采用高纯碳作为蒸发源对纯YAG晶片进行扩散渗碳制备，能够避免制备过程中碳的挥发，该制备方法具有简单高效的特点。本发明中的掺C的YAG晶体具有很高的热释光和光释光灵敏度，在热释光或光释光剂量学领域有潜在应用价值。