专利详情

专利名称	一种制备混合晶向半导体衬底的方法
申请号	CN200910053504.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101609800	公开（授权）日	2009.12.23
申请（专利权）人	上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁
主分类号	H01L21/31(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/31(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种制备混合晶向半导体衬底的方法至一种制备混合晶向半导体衬底的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备混合晶向半导体衬底的方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成媒介层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成媒介层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层；对键合后衬底进行退火。本发明的优点在于，利用高温退火消除键合界面的由亲水键合导致的自然氧化层的办法，能够制备出全局混合晶向体硅衬底，并且该全局混合晶向半导体衬底的表面半导体层具有良好的厚度均匀性。