专利详情

专利名称	碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法
申请号	CN200810071336.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101619212	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	陈玉标;陈玲;吴立明
主分类号	C09K11/78(2006.01)I	IPC主分类号	C09K11/78(2006.01)I
专利有效期	碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法至碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种碳酸氧化镧基纳米荧光粉体及其制备方法。本发明采用前驱体热解的工艺步骤，热解温度范围为400-750℃。本发明中，掺杂稀土离子部分取代La₂O₂CO₃中的La离子，掺杂后碳酸氧化纳镧基纳米荧光粉体的通式可以表示为：(La_1-xRE_x)₂O₂CO₃，RE可选用Dy³⁺或Er³⁺或Nd³⁺或Ho³⁺或Yb³⁺ 或Tm³⁺或Tb³⁺或Eu³⁺或Sm³⁺或Pr³⁺中的一种，x表示掺杂离子的摩尔量，0≤x≤0.2。该纳米荧光粉体，颗粒细小，具有片状形貌，薄片厚度大部分在10-50nm范围内。本发明制备的碳酸氧化镧基纳米荧光粉体可应用于显示、照明、防伪、光电器件等方面及其相关领域中的用途。