专利详情

专利名称	一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法
申请号	CN200810071339.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101619487	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	陈达贵;林文文;黄丰;王永净;林璋
主分类号	C30B29/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/12(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I
专利有效期	一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法至一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P 型半导体衬底单晶用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于工艺简单，操作方便，设备低廉，本发明提供的方法有利于工业化生产。由于矿化剂溶液中可以加入掺杂元素进行载流子调控，利用本方法可以实现CuI晶体材料的载流子的调控。