专利详情

专利名称	基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器
申请号	CN201210010933.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102540505A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	陈弘达;张赞允;黄北举;张赞
主分类号	G02F1/025(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/025(2006.01)I
专利有效期	基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器至基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接；两个光学相移臂，每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成；一个光学合束器，用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束，从而将光的相位调制转换为强度调制；两个共面波导行波电极，分别位于两个光学相移臂的上面，与光学相移臂中的电学结构形成电学接触，用于射频/微波电调制信号的加载和传输；一个环形金属对准标记，位于对称垂直耦合光栅的周围，用于光栅测试时对光纤的对准。