专利详情

专利名称	一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法
申请号	CN200910092439.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101655883	公开（授权）日	2010.02.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王鑫华;赵妙;刘新宇
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法至一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到斜率为k₃的直线，根据所述直线的斜率k₃，求出第一二极管的肖特基接触的理想因子n₁和实际势垒高度φ₁。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的，应用所述方法提取的参数值与实际值基本吻合。