专利详情

专利名称	一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法
申请号	CN200910307689.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101656208	公开（授权）日	2010.02.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法至一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。