专利详情

专利名称	硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法
申请号	CN200910054611.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101656244	公开（授权）日	2010.02.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	耿菲;丁晓云;罗乐
主分类号	H01L23/522(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/522(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I
专利有效期	硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法至硅基埋置型微波多芯组件的多层互连封装结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种以硅片为基板的埋置微波多芯片多层互连封装结构及制作方法。其特征在于利用低成本的硅片作为芯片埋置基板，以引线键合植球技术制备金凸点，实现微波芯片间的短距离互连，以低介电常数的液态或胶状聚合物作为介质层，通过光刻、电镀、化学机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，以及有源器件和无源器件的系统集成。整个封装结构具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。