
一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用
- 申请号:CN200910054616.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN101656249
- 公开(公开)日:2010.02.24
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用 | ||
申请号 | CN200910054616.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101656249 | 公开(授权)日 | 2010.02.24 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 丁晓云;耿菲;罗乐 |
主分类号 | H01L25/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
专利有效期 | 一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用 至一种圆片级封装多层互连结构、制作方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备 方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯BCB等作为介质层,以光刻、电镀、 机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构,并 可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线。整个工艺过程与IC工艺相匹配, 并在圆片级的基础上完成,具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。 该结构在提高封装密度和集成度,降低封装成本的同时可以有效地集成多种 功能器件单元,减小各元器件间的互连损耗,提高整个模块的性能。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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