专利详情

专利名称	一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法
申请号	CN200910195700.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101661808	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;万冬云
主分类号	H01B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01B1/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法至一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发明获得的高性能氧化锌基宽禁带导电材料制备工艺简单，成本低廉，具有很高的透明导电性能以及在高温潮湿环境下较高的稳定性能，可以作为高性能透明导电氧化锌薄膜制备的靶材，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。