专利详情

专利名称	一种提高GaN HEMT退火成功率的方法
申请号	CN200910091630.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101661877	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王鑫华;赵妙;刘新宇
主分类号	H01L21/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/18(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I
专利有效期	一种提高GaN HEMT退火成功率的方法至一种提高GaN HEMT退火成功率的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln\|I\|为纵坐标，V_r^1/4为横坐标的电流电压曲线；根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状，判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲线，对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断，从而选择性地对器件进行退火，以降低退火后器件失效的数量，提高器件的退火成功率，同时节约了成本。