专利详情

专利名称	一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法
申请号	CN200910307518.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101661921	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	蒲颜;罗卫军;陈晓娟;魏珂;刘新宇
主分类号	H01L23/52(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/52(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法至一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si₃N₄层和第二Si₃N₄层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au 层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si₃N₄介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni 上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。