专利详情

专利名称	相变存储单元器件的复合电极结构
申请号	CN200810042218.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101661992	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;丁晟;刘波;凌云;陈小刚;蔡道林;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	相变存储单元器件的复合电极结构至相变存储单元器件的复合电极结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO₂等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。