专利详情

专利名称	针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路
申请号	CN200810118973.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101662263	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈高鹏;陈晓娟;刘新宇;李滨
主分类号	H03F3/60(2006.01)I	IPC主分类号	H03F3/60(2006.01)I
专利有效期	针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路至针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率放大器。