专利详情

专利名称	双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
申请号	CN201210348006.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842613A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;王翠梅;肖红领;彭恩超;冯春;姜丽娟;陈竑
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法至双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。