专利详情

专利名称	微穿通型IGBT器件及其制作方法
申请号	CN201110175567.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856353A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱阳军;田晓丽;孙宝刚;卢烁今
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	微穿通型IGBT器件及其制作方法至微穿通型IGBT器件及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。通过在漂移区和集电区间形成了掺杂浓度比漂移区的浓度高的微穿通区，使得在关断期间，衬底的电场强度在微穿通区中基本降到零，因此衬底厚度可以明显减薄，使IGBT具有更低的导通电阻、饱和压降、以及更低的通态损耗。