
多栅器件的形成方法
- 申请号:CN201110182408.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102856205A
- 公开(公开)日:2013.01.02
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 多栅器件的形成方法 | ||
申请号 | CN201110182408.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102856205A | 公开(授权)日 | 2013.01.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 |
主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
专利有效期 | 多栅器件的形成方法 至多栅器件的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种多栅器件的形成方法,包括:提供半导体衬底;对所述半导体衬底进行刻蚀以形成凸出的鳍部;对所述鳍部底部的半导体衬底进行刻蚀,在所述鳍部和半导体衬底之间形成空隙;形成介质层,覆盖所述半导体衬底和鳍部,并填充所述空隙;对所述介质层进行刻蚀,暴露出所述鳍部的顶部和部分侧壁。本发明能够以简单的工艺实现鳍部之间的隔离,其成本较低,便于大规模工业应用。 |
交易流程
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