专利详情

专利名称	微结构保角性转移方法
申请号	CN201210593568.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021818A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;郭庆磊;张苗;魏星;薛忠营;母志强;戴佳赟
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	微结构保角性转移方法至微结构保角性转移方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。