专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110280628.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021850A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构的制作方法，该方法的步骤包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙，并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底，形成半导体基体；在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜；去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体，形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜，而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁，使得后续工艺中对该相互对应的侧壁进行常规操作变得易于操作。