
一种半导体结构及其制造方法
- 申请号:CN201110280628.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 公开(公开)号:CN103021850A
- 公开(公开)日:2013.04.03
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
申请号 | CN201110280628.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103021850A | 公开(授权)日 | 2013.04.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明(设计)人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制作方法,该方法的步骤包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底;在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙,并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底,形成半导体基体;在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜;去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体,形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。相应地,本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜,而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁,使得后续工艺中对该相互对应的侧壁进行常规操作变得易于操作。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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