欢迎来到喀斯玛汇智科技服务平台

服务热线: 010-82648522

首页 > 专利推荐 > 专利详情

一种半导体结构及其制造方法

  • 申请号:CN201110280628.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 公开(公开)号:CN103021850A
  • 公开(公开)日:2013.04.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
  • 立即咨询

专利详情

专利名称 一种半导体结构及其制造方法
申请号 CN201110280628.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103021850A 公开(授权)日 2013.04.03
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明(设计)人 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号 H01L21/336(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种半导体结构的制作方法,该方法的步骤包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成绝缘层、以及在该绝缘层上形成半导体基底;在所述半导体基底上形成牺牲层、以及环绕所述牺牲层的侧墙,并以该所述侧墙为掩膜刻蚀所述半导体基底,形成半导体基体;在所述半导体基体的侧壁上形成绝缘膜;去除所述牺牲层、以及位于所述牺牲层下方的所述半导体基体,形成第一半导体鳍片和第二半导体鳍片。相应地,本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过在两个半导体鳍片相互背离的侧壁上存在绝缘膜,而仅仅暴露两个半导体鳍片相互对应的侧壁,使得后续工艺中对该相互对应的侧壁进行常规操作变得易于操作。

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

平台保障

1、源头对接,价格透明

2、平台验证,实名审核

3、合同监控,代办手续

4、专员跟进,交易保障

  • 用户留言
暂时还没有用户留言

求购专利

专利交易流程

  • 01 选取所需专利
  • 02 确认专利可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书
官方客服(周一至周五:8:30-17:30) 010-82648522