专利详情

专利名称	高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法
申请号	CN201110281114.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103022220A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地	发明（设计）人	黄维;常少辉;刘学超;王乐星;庄击勇;陈辉;施尔畏
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I
专利有效期	高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法至高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋涂第二光刻胶层，对第二光刻胶层作图形化，露出需要形成金属电极的区域；形成金属电极，其与透明电极分别相接触而与半绝缘衬底隔开；去除第二光刻胶层。相应地，本发明还提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关。本发明在保证一定电极间距的情况下，增加了开关的电流密度容量，减小了场强集中，从而使光电导开关在具有高耐压特性的同时，还具有较低的导通电阻。