
一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法
- 申请号:CN201210507208.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所;上海德福光电技术有限公司
- 公开(公开)号:CN103017384A
- 公开(公开)日:2013.04.03
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 | ||
申请号 | CN201210507208.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103017384A | 公开(授权)日 | 2013.04.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所;上海德福光电技术有限公司 | 发明(设计)人 | 陆卫;陈飞良;王少伟;俞立明;刘星星;郭少令;陈效双;王晓芳 |
主分类号 | F24J2/48(2006.01)I | IPC主分类号 | F24J2/48(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 至一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该碳膜辅助的太阳能选择性吸收膜系包括镀制在金属衬底上的氮氧化钛薄膜、无定形碳薄膜、氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜。本发明通过引入无定形碳膜,使得吸收膜系的太阳能吸收率高达98.0%,发射率可低至2.3%,具有极高的光热转换效率和集热效率,优于现有国际先进水平,可广泛应用于各种太阳能光热转换器中。与常规平板集热器吸热膜相比,加入无定形碳辅助吸热膜之后,可进一步提高膜系的太阳能吸收率,同时保持极低的发射率。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积衬底上连续镀制,实现低成本高效生产。 |
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