专利详情

专利名称	待测传感器芯片的电学引出结构及其应用
申请号	CN201110281248.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021985A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	杨恒;豆传国;吴燕红;李昕欣;王跃林
主分类号	H01L23/488(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/488(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;G01K7/18(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I
专利有效期	待测传感器芯片的电学引出结构及其应用至待测传感器芯片的电学引出结构及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性基板（14）的焊盘上；通过柔性基板（14）的焊盘由焊线（15）实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出，然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装，通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。