专利详情

专利名称	一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法
申请号	CN201210506895.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103049647A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	华桦;周松敏;胡晓宁
主分类号	G06F19/00(2006.01)I	IPC主分类号	G06F19/00(2006.01)I
专利有效期	一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法至一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种统计焦平面铟柱阵列高度数据的处理方法。本发明根据焦平面器件铟柱的形状特点对由激光共聚焦显微镜获取的焦平面表面形貌数据进行数据处理，最终获得整个器件的铟柱高度数值及其统计分布。本发明包括：1，获取焦平面器件表面形貌数据矩阵，并生成对应的坐标矩阵；2，通过计算确定铟柱高度统计分析的基本高度；3，利用基本高度分离单个铟柱的高度数据矩阵；4，计算单个铟柱的高度；5，统计所有铟柱的高度。本发明的优点是：1，利用本发明可以实现铟柱高度统计的自动化，为焦平面器件的倒焊互连工艺提供依据；2，本发明提供的数据处理方法，其统计结果客观准确，排除人工选点的数据不完整性。