专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110306885.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103050403A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;于伟泽
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成牺牲栅，位于牺牲栅两侧的侧墙和源/漏区；形成覆盖源/漏区、牺牲栅以及侧墙的层间介质层；去除牺牲栅从而在侧墙内形成一个空腔；在空腔内形成与侧墙内壁相接触的第一氧吸收层；在空腔的其余空间形成第二氧吸收层，第一氧吸收层的氧吸收能力小于第二氧吸收层；进行退火以使得所述衬底的表面形成界面层。相应地，本发明还提供一种半导体结构。本发明通过在沟道区形成对称的界面层，在有效控制短沟道效应并保证载流子迁移率不下降的情况下，降低了工艺复杂度。