专利详情

专利名称	一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
申请号	CN201210325765.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102839417A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王建霞;李志伟;赵桂娟;桑玲;刘长波;魏鸿源;焦春美;杨少延;刘祥林;朱勤生;王占国
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I
专利有效期	一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法至一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。