专利详情

专利名称	IGBT芯片及其制作方法
申请号	CN201110170508.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842610A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈宏;胡少伟;卢烁今;吴振兴;朱阳军
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	IGBT芯片及其制作方法至IGBT芯片及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行，并未增加电路的设计成本。