专利详情

专利名称	一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法
申请号	CN201310017106.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103072942A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李冬梅;陈鑫;梁圣法;牛洁斌;张培文;刘宇;李小静;詹爽;张浩;罗庆;谢常青;刘明
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法至一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备原位掺杂Pt的NiO有序纳米线阵列的方法，包括：在耐高温绝缘衬底上生长一Ni层；在该Ni层上涂敷光刻胶层，利用电子束光刻在该光刻胶层刻出有序纳米线阵列图形区域，在该有序纳米线阵列图形区域中生长Ni，采用丙酮剥离光刻胶后用离子束刻蚀工艺对Ni层表面进行刻蚀，将衬底表面生长的Ni层刻掉，只留下该有序纳米线阵列图形区域的Ni形成有序Ni纳米线阵列；将该有序Ni纳米线阵列浸入H2PtCl6溶液中，通过置换反应在Ni纳米线阵列上有Pt被置换出来；将附有Pt的Ni纳米线阵列在氧化炉里氧化，得到Pt掺杂的有序NiO纳米线阵列。本发明简单实用，掺杂后的传感器对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都将有很大的改善。